Datasheets - FET, MOSFET simples - 9

Subsección: "FET, MOSFET simples"
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  1. Datasheet Rohm RV2C010UNT2L
    MOSFET de potencia Nch de 20 V y 1 A El paquete ultrapequeño (tamaño 1006) RV2C010UN es adecuado para dispositivos portátiles.
  2. MOSFET de potencia Nch de 20 V y 1 A El paquete ultrapequeño (tamaño 1006) RV2C010UN es adecuado para dispositivos portátiles.
  1. Datasheet Rohm RTR020P02TL
    MOSFET de canal P de 2,5 V Se ha anunciado la discontinuación del producto (EOL).
  2. MOSFET de canal P de 2,5 V Se ha anunciado la discontinuación del producto (EOL).
  3. Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-3
  4. Datasheet Rohm RUC002N05
    MOSFET Nch de 1,2 V Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia gama que incluye tipo compacto, tipo de alta ...
  5. El IGB110S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x3, lo que permite diseños con alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado activado, es ...
  6. El IGB110S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x3, lo que permite diseños con alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado activado, es ...
  7. El IGC033S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x5, lo que permite diseños con alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado activado, es ...
  8. El IGC033S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x5, lo que permite diseños con alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado activado, es ...
  9. Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P, -30 V, SOT-23 Infineon Technologies ofrece a los fabricantes automotrices e industriales una amplia gama de MOSFET de pequeña señal de canal N y P que cumplen y superan los más ...
  10. Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P, -30 V, SOT-23 Infineon Technologies ofrece a los fabricantes automotrices e industriales una amplia gama de MOSFET de pequeña señal de canal N y P que cumplen y superan los más ...
  11. MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de -55 V en un paquete D2-Pak
  12. Datasheet Infineon IRF4905STRLPBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de -55 V en un paquete D2-Pak
  13. Datasheet Infineon IRF4905STRRPBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de -55 V en un paquete D2-Pak
  14. Datasheet Infineon IRF4905SPBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de -55 V en un paquete D2-Pak
  15. Datasheet Ampleon BLF989EU
    Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia LDMOS RF de 1000 W para aplicaciones de transmisor Doherty de transmisión asimétrica que opera a una potencia promedio de 180 W DVB-T. La excelente robustez de este dispositivo lo hace ...
  16. Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 1000 W para aplicaciones de transmisión Doherty de radiodifusión asimétrica, que opera a una potencia promedio de 180 W DVB-T. Su excelente robustez lo hace ideal para ...
  17. Datasheet Ampleon BLF881S,112
    Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...
  18. Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...