Datasheets - FET, MOSFET simples - 9
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
- FET digital, canal N
- FET digital de canal N de 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para ...
MOSFET de trinchera de canal P de 20 V, 1 A Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal P en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) pequeño SOT323 (SC-70) que utiliza tecnología MOSFET de trinchera.- MOSFET de canal P 40-V (DS)
Número de pieza: FDN302P Fabricante: Fairchild Descripción: MOSFET, P, SMD, SSOT-3 Descargar hoja de datos Legajo: FDN302P Octubre 2000 FDN302P MOSFET PowerTrench especificado de canal P de 2.5V Descripción general Especificaciones: Intensidad ...
MOSFET de canal P de 30 V (DS)
Transistor de potencia en modo de mejora VDS, 100 V RDS (activado), 1,8 mΩ ID, 101 A ID pulsado, 408 A- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
- Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
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- MOSFET de potencia
- Transistor de modo de mejora de canal N
- MOSFET de canal P de 80 V (DS)
- MOSFET con clasificación de canal N de 60 V (DS)
MOSFET de doble puerta de canal N Ya no se fabrica NXP ya no acepta pedidos de la pieza y ya no la fabricará.
MOSFET de doble puerta de canal N Ya no se fabrica NXP ya no acepta pedidos de la pieza y ya no la fabricará. Repuesto (s): BF1211.
MOSFET de potencia