Datasheets - FET, MOSFET simples - 9

Subsección: "FET, MOSFET simples"
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  1. MOSFET de potencia StrongIRFET de canal N único de nivel lógico de 30 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET está optimizada para baja R DS (encendido) y capacidad de alta corriente. Los dispositivos son ideales para ...
  2. MOSFET de potencia de canal P Estos productos son MOSFET de potencia de canal P fabricados con el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se aproximan a los de los circuitos LSI, proporciona una utilización óptima ...
  1. MOSFET de potencia de canal P Estos productos son MOSFET de potencia de canal P fabricados con el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se aproximan a los de los circuitos LSI, proporciona una utilización óptima ...
  2. MOSFET de canal N de 150 V (DS) a 175 °C
  3. Canal N 200 V (DS) 175 °C MOSFET
  4. PowerTrench de canal P MOSFET, 30V, -13A, 9mΩ Este MOSFET de canal P ha sido diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CC/CC que utilizan controladores PWM de conmutación síncronos o convencionales y ...
  5. Nivel lógico de canal N PowerTrench MOSFET 30 V, 2,7 A, 46 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal N se produce utilizando un proceso PowerTrench avanzado que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo y, sin ...
  6. Datasheet Toshiba TK12A60U
    MOSFET de potencia (canal N 500V VDSS≤700V)
  7. MOSFET de pequeña señal 200V 250mA 10 Ohm Canal N único TO-92 Nivel lógico Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como controladores de línea, controladores de relé, lógica CMOS, microprocesador ...
  8. MOSFET de canal N de 30 V
  9. Transistor de potencia SIPMOS
  10. MOSFET de potencia STripFET de canal N 50V -0.085Ω -17A TO-220
  11. Modo de mejora de canal N Vertical Dmos Fet
  12. Modo de mejora de canal P Vertical Dmos Fet
  13. MOSFET PowerTrench de canal P de 35 V
  14. Datasheet Fairchild FDN337N
    Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N
  15. Datasheet Fairchild FDV303N
    FET digital, canal N
  16. FET digital de canal N de 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para ...
  17. Datasheet Nexperia PMF170XP,115
    MOSFET de trinchera de canal P de 20 V, 1 A Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal P en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) pequeño SOT323 (SC-70) que utiliza tecnología MOSFET de trinchera.
  18. MOSFET de canal P 40-V (DS)